PART 01所况介绍

中国科学院半导体研究所(Institute of Semiconductors,CAS)是集半导体物理、材料、器件研究及系统集成应用的国家级综合性研究所，于1960年在北京成立。半导体所现有在职职工700余人。中国科学院院士8名，中国工程院院士1名，高层次引进人才计划入选者49人，国家“万人计划”入选者14人，国家杰出青年科学基金获得者20人，“百千万人才工程”入选者11人。设有3个博士后流动站，拥有8个学术型学科专业博士和硕士培养点，拥有2个专业学位领域培养点。

中国科学院半导体研究所拥有优秀的研究队伍、科研平台和教学基地。物理研究--半导体超晶格国家重点实验室；材料研究--中国科学院半导体材料科学重点实验室；光电子器件研究--集成光电子学国家重点实验室、国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心、半导体照明联合创新国家重点实验室、中国科学院固态光电信息技术重点实验室以及纳米光电子、全固态光源和光电系统实验室；半导体工艺平台--半导体集成技术工程研究中心并牵头北京信息电子大型仪器区域中心；特色微电子--高速电路、生物医疗、基于神经网络的芯片及系统等。半导体所是中国科学院大学材料科学与光电技术学院的主办单位，材料科学与工程入选国家一流学科。在相关研究领域已取得一系列重大原创性成果，近年来获得国家自然科学奖、国家科技进步奖等多项奖励，黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。

根据研究所战略发展需要，现诚邀海内外人才依托半导体所申报国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外）。

PART 02 主要研究方向

凝聚态物理；半导体量子结构物理；半导体器件物理；先进半导体材料及应用；半导体光电子器件及集成；半导体微纳结构与器件；高功率全固态激光及应用；人工神经网络与智能芯片；半导体激光传感与成像；其他半导体新兴研究领域。

PART 03 申请人条件

（一）优秀青年科学基金项目（海外）的申请人应当具备以下条件

1.遵守中华人民共和国法律法规，具有良好的科学道德，自觉践行新时代科学家精神；

2.出生日期在1984年1月1日（含）以后；

3.具有博士学位；

4.研究方向主要为自然科学、工程技术等；

5.在取得博士学位后至2024年4月15日前，一般应在海外高校、科研机构、企业研发机构获得正式教学或者科研职位，且具有连续36个月以上工作经历；在海外取得博士学位且业绩特别突出的，可适当放宽工作年限要求；

6.取得同行专家认可的科研或技术等成果，且具有成为该领域学术带头人或杰出人才的发展潜力；

7.申请人尚未全职回国（来华）工作，或者2023年1月1日以后回国（来华）工作。获资助通知后须辞去海外工作并全职回国（来华）工作不少于3年。

（二）限项要求

执行国家科技人才计划统筹衔接的相关要求。同层次国家科技人才计划只能承担一项，不能逆层次申请。

详细申报条件请参见网址： 

国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外）项目指南

（https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info91697.htm）

PART 04提供待遇

正式入选国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外），研究所将给予入选者如下岗位待遇：

（一）聘任岗位

聘任为在编研究员岗位、博士生导师。允许设立独立课题组，协助建立研究团队。

（二）科研经费

900万元以上的科研经费（含项目评估优秀追加200万元）。

（三）薪酬待遇

提供有国际竞争力的薪酬待遇，年薪70万元/年以上。

（四）各项补贴

100万元生活补贴+150万元其他特殊津贴（含项目评估优秀追加50万元）。

（五）其他支持

提供科研所需的办公和实验用房；享受人才长租房，提供直至退休的人才长租房政策；按照相关政策解决本人及配偶、子女在京落户，及子女入托入学等。

PART 05申请程序

（一）欢迎来电来信咨询，并将简历及代表性成果于2024年3月15日前发送至zhaopin@semi.ac.cn，邮件标题注明：应聘某某岗位+本人姓名+硕博英才网。

（二）通过与半导体所签订工作意向协议书，依托半导体所申报国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外）。

PART 06联系方式

地址：北京市海淀区清华东路甲35号（邮编：100083），中国科学院半导体研究所人事教育处

联系人：吴老师、徐老师

邮箱：zhaopin@semi.ac.cn

电话：86-10-82304192，86-10-82304307

中国科学院半导体研究所

2024年01月23日

原文出处：

https://mp.weixin.qq.com/s/gvGRNXOv-lO3aRkO8fT41A